参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IPP023N04N G
说明	功率MOSFET   10mm TO-220
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	500
最小包	500
现货	1288 [库存更新时间：2024-06-07]
通道数量	1Channel
配置	Single
Pd-功率耗散(Max)	167W
高度	15.65mm
长度	10mm
宽度	4.4mm
下降时间	7.8ns
上升时间	6.6ns
典型关闭延迟时间	40ns
典型接通延迟时间	27ns
Moisture Level	NA
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.3mΩ
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	90A
QG (typ @10V)	90.0 nC
封装/外壳	TO-220
Rth	0.9 K/W
Budgetary Price €€/1k	0.54
Ptot max	167.0W
FET类型	N-Channel
栅极电压Vgs	2V,4V
Coss	2000.0 pF
Ciss	7300.0 pF
Special Features	ORing/Efuse
工作温度	-55°C~175°C